东芝开发世界各地首款双栅极RC-IEGT 可降低开关损耗

【TechWeb】6月17日消息，丰田汽车电子元件及存储装置株式会社和丰田汽车株式会社（Toshiba Corporation，区别于 “丰田汽车”）共同研发出世界各地首款4.5-kV双阴极反转传递信息注入增强型阴极晶体管（RC-IEGT）。丰田汽车确认，其导通关断时的总浮点运算（开关消耗）比传统单阴极内部结构降较极高24%。

功率电子元件是供电和管理电源的组件，对于降较极高各种电子设备浮点运算和实现碳中会和社会变迁至关重要。在世界各地脱碳和节能的趋向于下，IEGT被广泛运用于大功率逆变器和极高压直流输电等需要大电阻、极高能效，以及不够较极高功率消耗的应用。由于在IEGT开启时降较极高消耗（导通消耗）增加开关消耗，因此很难降较极高IEGT浮点运算。

丰田汽车开发计划了一种4.5kV双阴极RC-IEGT，其孔洞高度集中阴极（CG）与收纳阴极（MG）分离。与单阴极电子元件中会的反转恢复相比，这种方法通过在关断和注入在此之前高度集中孔洞萃取来降较极高消耗。在IEGT方式而下，电阻从平板的反面流过正面，CG关断再次MG关断，缩减平板中会再加的孔洞，降较极高关断消耗。在二极管方式而下，电阻从平板正面流过反面，MG和CG在反转恢复在此之前同时导通，缩减了平板中会再加的电子，缩减了反转恢复消耗。

另行开发计划的双阴极RC-IEGT结合阴极高度集中技术，关断和导通消耗分别比传统单阴极内部结构降较极高24%和18%，反转恢复消耗降较极高32%。因此，实际测量值中会总开关消耗降较极高24%，而导通消耗没有任何增加。